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商品の詳細:
お支払配送条件:
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| ブランド: | AB | モデル: | 1747-L524 |
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| タイプ: | SLC 5/02プロセッサ・モジュール | 国の起源: | アメリカ合衆国 |
| シリーズ: | SLC 500 | ユーザーの記憶: | 4,000の指示 |
| ハイライト: | アレン ブラッドリーの記憶モジュール,plcプロセッサ・モジュール |
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新しい密封されたアレン ブラッドリー1747-L524 /C SLC 5/02プロセッサ・モジュール4Kの記憶DH-485
速い細部:
アレン ブラッドリー
1747-L524
1747L524
プロセッサ・モジュール
SLC 500
SLC 5/02
4つのKの記憶
DH485コミュニケーション
1つの年の保証
指定
アレン ブラッドリー1747-L524はSLC 500 SLC 5/02プロセッサです。
このSLC 5/02プロセッサに480のアナログ入力/出力が付いている4096の入力ポイントそして4096の出力ポイントがあります。
1747-L531について
アレン ブラッドリー1747-L524はSLC 500プロセッサです。またSLC 5/02のコントローラーとして参照されて、このプロセッサに分離した入出力のための4096のモジュール指示そして最大それぞれのための4000のモジュールの最高の記憶があります。このプロセッサのために60以上のタイプのモジュールを、アナログ、デジタルの、および走査器モジュールのような、使用できます。但し、このプロセッサは1746-BLMおよび1746-MPMモジュールと互換性がありません。このプロセッサへ走査器モジュールを取付けることはシステムへのDeviceNet、ControlNetおよび普遍的なリモート入力/出力を加えることを可能にしましたり、また19の別の説明事項を加えます。このプロセッサにまた480 3/30のローカル アナログ入力/出力および最高ローカル シャーシ/スロットの最高があります。追加データ記憶機構がこのプロセッサと取付けることができないことに注目して下さい。但し、任意EEPROMモジュールを使用できます。これらの記憶モジュールは救われるプロセッサのRAMの内容を救い、EEPROMの記憶でデータにプロセッサのRAMに荷を積むことを可能にします。このプロセッサと利用できるDH-485 COMポートは受け取るために入会者の指示置かれ、が、プログラミングのための港を接続すれば1747 PICを要求します。
自動運転表示灯このプロセッサのために利用できます。1747-L524プロセッサは71のプログラミング指示があり、RSLogix 500、PLC-500 A.I. Series、ソフトウェアをプログラムするHHTおよびAPSを使用して形成することができます。それにまた2年の平均のために持続する推定されるユーザー取り替え可能な電池があります。145のx 35のx 142ミリメートルを測定するこのプロセッサはシャーシを使用して取付けることができ、オープン式のエンクロージャがあります。それに5ボルトので0.9 Aの最高流れが両方の1.75のDCおよび最低のワットそして総ワットそれぞれあります。プロセッサのプログラム スキャン時は4.8 milliseconds/Kであり、入力/出力スキャン時間は1.6ミリ秒です。ビット実行は2.4のµsです。このプロセッサにまたDC 24ボルトのでDC 5ボルトので350 mAおよび105 mAのバックプレーンの現在の負荷があります。電源のローディングによって、プログラム スキャンは力の損失が20ミリ秒から3秒からだった後時間を遅らせます。このプロセッサの実用温度は0から60の摂氏温度まで及び、保管温度は-40から85の摂氏温度からです。その振動は57から2000 Hertzで5から57 Hertzおよび2.5 G加速でピーク間の0.015インチの変位です。それにまた30 Gの操作の衝撃があり、5から95%の不凝縮相対湿度と来ます。
技術仕様:
| 製造業者 | ロックウェル オートメーション |
| ブランド | アレン ブラッドリー |
| 部品番号/カタログいいえ。 | 1747-L524 |
| シリーズ | SLC 500 |
| モジュールのタイプ | SLC 5/02プロセッサ |
| 入力 | 4096 |
| 出力 | 4096 |
| アナログ入力/出力 | 480 |
| ユーザーの記憶 | 4,000の指示 |
| プログラム スキャン時間 | 4.8ミリ秒 |
| 入力/出力スキャン時間 | 1.6ミリ秒 |
| 入力/出力のシャーシ | 3 |
| シャーシ モジュール スロット | 30 |
| コミュニケーション | DH-485 |
| 一時記憶装置 | EEPROM |
| バックプレーンの流れ（DC 5ボルトの） | 350のmilliamps |
| バックプレーンの流れ（DC 24ボルトの） | 105のmilliamps |
| 作動の衝撃 | 30 G |
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